SK hynix zh_CN PRN Asia SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证 2023-10-25 14:21:00 ）25日宣布， 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5T DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。 SK hynix LPDDR5T *LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。 自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来，SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。 SK海力士强调："公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。" 公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。 另外，LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。 SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。 *HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺 。 高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合，智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。" SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求，对此感到很高兴。" 柳副社长还补充道："预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此，需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。" Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated. Snapdragon is a product of Qualcomm Technologies, Inc. and/or its subsidiaries. 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站 www.skhynix.com ， news.skhynix.com.cn 。 SK hynix LPDDR5T ]]>
  • 完成与高通最新移动处理器的兼容性验证，正式开始向客户提供产品
  • "将通过加强与高通的合作，实现智能手机发展为AI时代的核心应用。"

    • 韩国首尔2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）25日宣布， 公司开始推进"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移动DRAM中可实现9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近获得了将LPDDR5T DRAM适用于美国高通技术公司（Qualcomm Technologies，以下简称高通）最新第三代骁龙8移动平台（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的业内首次认证。

    SK hynix LPDDR5T
    SK hynix LPDDR5T

    *LPDDR（低功耗双倍数据速率）：是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格，因以耗电量最小化为目的，具有低电压运行特征。规格名称附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新规格为第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业内首次开发的产品，是第八代LPDDR6正式问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。

    自今年1月开发出LPDDR5T DRAM以来，SK海力士与高通进行了兼容性验证合作。两家公司在结合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代骁龙8移动平台的智能手机上进行验证得出，两款产品都发挥出了优秀的性能。

    SK海力士强调："公司的LPDDR5T DRAM成功完成与全球权威通信芯片公司高通等主要移动AP（Application Processor）供应商的性能验证，今后移动设备中LPDDR5T DRAM的布局将迅速扩大。"

    公司计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。

    另外，LPDDR5T DRAM可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压标准范围1.01~1.12V（伏特）下运行，在功耗方面也具备了优势。

    SK海力士技术团队在开发该产品的过程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工艺，在运行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM问世前，LPDDR5T DRAM在移动DRAM市场上占据很大比重。

    *HKMG：在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可改善电容（Capacitance）的新一代工艺。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。

    高通技术公司产品管理高级副总裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代骁龙8产品可以低功耗下无延迟驱动生成型AI为基础的大语言模型（LLM）和大视觉模型（LVM）。骁龙移动平台和SK海力士的最高速移动DRAM相结合，智能手机用户将能够体验惊人的AI功能。"

    SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功满足了全球客户对超高性能移动DRAM需求，对此感到很高兴。"

    柳副社长还补充道："预计今后智能手机将成长为驱动AI技术的核心应用。为此，需要通过移动DRAM持续提高智能手机的性能，公司将继续加强与高通的合作，努力提高该领域的技术能力。"

    Snapdragon is a trademark or registered trademark of Qualcomm Incorporated.
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    关于SK海力士
    SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

    SK hynix LPDDR5T
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    ]]>         SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存 2023-06-08 08:00:00 ）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。 SK海力士开始量产的世界最高238层4D NAND闪存和解决方案产品 SK海力士强调："公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。" 238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。 SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。 *PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽（32GT/s，千兆传输/秒）。 SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示："公司今后将继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力，在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。" 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站 www.skhynix.com ， news.skhynix.com.cn 。 媒体关系联系人（Media Contact） SK hynix Inc. Global Public Relations Technical Leader 尹柱珉（Jumin Yoon） E-Mail: global_newsroom@skhynix.com Head of Global PR Team 李银淅（Eun Suk Yixi Lee） E-Mail: global_newsroom@skhynix.com ]]>
  • 开始量产并同时与全球智能手机客户公司进行验证
  • 以业界最高层、超小型产品，确保最高水平的成本和品质竞争力
  • "以NAND技术竞争力为基础，期待下半年业绩回升"

    • 韩国首尔2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，https://www.skhynix.com）8日宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前，公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

    SK海力士开始量产的世界最高238层4D NAND闪存和解决方案产品
    SK海力士开始量产的世界最高238层4D NAND闪存和解决方案产品

    SK海力士强调："公司以238层NAND闪存为基础，成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD（Client SSD）解决方案产品，并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品，都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力，期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。"

    238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能，由此公司自信，可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

    SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后，首先向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0*的PC固态硬盘（SSD）和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

    *PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是为高速输入、输出数据而开发的串行结构的接口规格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍带宽（32GT/s，千兆传输/秒）。

    SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示："公司今后将继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力，在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。"

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    SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器），NAND Flash（NAND快闪存储器）和CIS（CMOS图像传感器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

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    ]]>         SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证 2023-01-12 10:23:00 全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_1   全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_2 SK海力士表示：“公司采用1a纳米工艺的DDR5首次在支持DDR5的全新英特尔中央处理器（CPU）上获得兼容性认可，这是具有里程碑意义的成果。将通过目前在量产的DDR5积极应对增长趋势的服务器市场，尽早克服存储器半导体的低迷市况。” 在1月10日(美国时间)公司采用EUV（极紫外线）技术的1a纳米DDR5 DRAM产品获得了英特尔推出的第四代Xeon®服务器处理器可支持的存储器认证。 业界一直将英特尔公司的“Sapphire Rapids”作为存储器半导体行业反弹的关键，期待着该产品的上市。因为新一代服务器用CPU上市后，现有的服务器需要进行更换，从而高性能存储器的销售会相应出现急剧增长，DDR5就可以满足需求高性能的客户要求。专家们预测，DDR5将尽早成为服务器DRAM市场的主力产品。 SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。 * 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标 在此次英特尔的DDR5认证，SK海力士还成功获得了第二代10纳米级(1y)DDR5的认证。据此，公司期待以广泛的技术为基础，可以提供客户16Gb、24Gb等多种DDR5产品，服务器DRAM的销售将进一步活跃。 SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。” 英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特尔一直与SK海力士、JEDEC共同努力，为了实现DDR5与我们最新的处理器优化并兼容紧密合作。第四代Xeon® 服务器处理器与DDR5将为数据中心客户提供最强的性能体验。” 另外，SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书（White paper）。白皮书包含了DDR5的优点以及基于Sapphire Rapids的1a纳米级DDR5优秀性能等内容。公司期待今后对希望采用本公司DDR5的服务器客户，此白皮书能作为参考资料使用。 - 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM - 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5样品 - 2023年1月，1a纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证 * Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries. 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站 www.skhynix.com ， news.skhynix.com.cn 。 媒体关系联系人(Media Contact) SK hynix Inc. Global Public Relations Technical Leader 李银淅（Eun Suk Yixi Lee） E-Mail: global_newsroom@skhynix.com Technical Leader 尹柱珉（Jumin Yoon） E-Mail: global_newsroom@skhynix.com   ]]>
  • 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证
  • 以DDR5积极应对服务器市场，提早克服存储器半导体低迷期
  • 第二代10纳米级也一同认证，以多种产品群应对服务器客户

    • 韩国首尔2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）12日宣布，公司研发的第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM获得了英特尔（Intel®）近期上市的全新第四代Xeon®服务器处理器（代号为Sapphire Rapids）兼容认证。

    全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_1
    全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_1

     

    全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_2
    全球首获英特尔认证SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM_2

    SK海力士表示：“公司采用1a纳米工艺的DDR5首次在支持DDR5的全新英特尔中央处理器（CPU）上获得兼容性认可，这是具有里程碑意义的成果。将通过目前在量产的DDR5积极应对增长趋势的服务器市场，尽早克服存储器半导体的低迷市况。”

    在1月10日(美国时间)公司采用EUV（极紫外线）技术的1a纳米DDR5 DRAM产品获得了英特尔推出的第四代Xeon®服务器处理器可支持的存储器认证。

    业界一直将英特尔公司的“Sapphire Rapids”作为存储器半导体行业反弹的关键，期待着该产品的上市。因为新一代服务器用CPU上市后，现有的服务器需要进行更换，从而高性能存储器的销售会相应出现急剧增长，DDR5就可以满足需求高性能的客户要求。专家们预测，DDR5将尽早成为服务器DRAM市场的主力产品。

    SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。

    * 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

    在此次英特尔的DDR5认证，SK海力士还成功获得了第二代10纳米级(1y)DDR5的认证。据此，公司期待以广泛的技术为基础，可以提供客户16Gb、24Gb等多种DDR5产品，服务器DRAM的销售将进一步活跃。

    SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

    英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特尔一直与SK海力士、JEDEC共同努力，为了实现DDR5与我们最新的处理器优化并兼容紧密合作。第四代Xeon®服务器处理器与DDR5将为数据中心客户提供最强的性能体验。”

    另外，SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书（White paper）。白皮书包含了DDR5的优点以及基于Sapphire Rapids的1a纳米级DDR5优秀性能等内容。公司期待今后对希望采用本公司DDR5的服务器客户，此白皮书能作为参考资料使用。

    <SK海力士DDR5 DRAM开发成果>
    - 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
    - 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5样品
    - 2023年1月，1a纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证

    * Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

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    Technical Leader
    李银淅（Eun Suk Yixi Lee）
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    ]]>         SK海力士副会长朴正浩与高通CEO举行会谈， 探讨加强半导体业务合作 2023-01-06 07:36:00 ）今日宣布，SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩于在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天与高通公司举行会谈探讨加强合作。 1月4日（美国时间），朴正浩副会长与SK海力士社长兼联合CEO郭鲁正及其他高层领导，与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon )在拉斯维加斯举行了会谈。 双方高层就众多话题展开讨论，涉及半导体与其相关的整体未来产业。 高通公司是全球最大的智能手机应用处理器供应商之一，并且一直致力于将业务扩展至汽车、消费、工业和物联网等应用领域。 SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。” 朴副会长表示SK海力士与全球ICT公司的合作将不受地域与行业的限制：“我们将以我们的技术为依托，与全球科技公司积极合作，探索各种商业机会。” 1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左）在CES 2023举办地美国拉斯维加斯会面，就加强双方技术合作进行探讨。   1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右侧中央）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左侧中央）等高层领导在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天举行会谈，就扩大双方合作进行探讨。 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站 www.skhynix.com ，news.skhynix.com.cn 。   ]]>
  • 副会长朴正浩会见高通公司高层，广泛探讨合作机会
  • SK海力士将继续寻求与全球科技企业跨地域、跨行业展开合作

    • 韩国首尔2023年1月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）今日宣布，SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩于在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天与高通公司举行会谈探讨加强合作。

    1月4日（美国时间），朴正浩副会长与SK海力士社长兼联合CEO郭鲁正及其他高层领导，与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯维加斯举行了会谈。

    双方高层就众多话题展开讨论，涉及半导体与其相关的整体未来产业。

    高通公司是全球最大的智能手机应用处理器供应商之一，并且一直致力于将业务扩展至汽车、消费、工业和物联网等应用领域。

    SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。”

    朴副会长表示SK海力士与全球ICT公司的合作将不受地域与行业的限制：“我们将以我们的技术为依托，与全球科技公司积极合作，探索各种商业机会。”

    1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左）在CES 2023举办地美国拉斯维加斯会面，就加强双方技术合作进行探讨。
    1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左）在CES 2023举办地美国拉斯维加斯会面，就加强双方技术合作进行探讨。

     

    1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右侧中央）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左侧中央）等高层领导在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天举行会谈，就扩大双方合作进行探讨。
    1月4日（美国时间），SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩（右侧中央）与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon，左侧中央）等高层领导在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天举行会谈，就扩大双方合作进行探讨。

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    SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

     

    ]]>         SK海力士将在CES2023以高效率、高性能存储器吸引全球科技公司 2022-12-27 07:30:00 ）于27日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会 -- "CES 2023"，展示主力存储器产品和新的产品阵容。 SK海力士强调："在此次CES上，公司同步SK集团的‘无碳未来'方向，决定将大幅减少碳排放的产品，以‘绿色数字解决方案'为主题进行展示。公司将公开的产品阵容不仅能减少环境影响，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客户和专家的众多关注。" 最近，随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。 * 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标 此次公司展示的核心产品是超高性能企业级SSD产品 PS1010 E3.S（以下简称PS1010）。PS1010是由多个SK海力士的176层4D NAND结合而成的模组产品,支持PCIe第五代(Gen 5)*标准。 * PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）:电子产品主板上串行结构的高速输入/输出接口。其特点是随着每一代的上升，数据传输率提高约一倍。 SK海力士技术团队解释说："服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长，在这种情况下，公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。" 实际上，PS1010与上一代相比，读写速度分别最高提升了130%和49%。另外，该产品具备改善75%以上的功耗比，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。 尹载然SK海力士副社长（NAND商品企划负责人）表示："在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。" 与此同时，展会上SK海力士将展示适用于高性能计算（HPC，High Performance Computing）的新一代存储器产品，现有最高性能的DRAM"HBM3*"、采用存储器上添加运算功能的PIM*技术的"GDDR6-AiM"、灵活扩张存储器容量和性能的"CXL*存储器"等。 * HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，比现有DRAM显著提升数据处理速度的高附加值、高性能的产品 * PIM（Processing-In-Memory）：在存储器半导体上添加运算功能，可以解决人工智能(AI)和大数据处理领域的数据传输停滞问题的新一代技术 * CXL（Compute Express Link）：为有效构建高性能计算系统，基于PCIe的新一代互联协议（Interconnect Protocol） 另外，SK海力士的CES展位还将同时展示SK集团旗下能源效率化子公司SK enmove的液浸冷却(Immersion Cooling)*技术。此技术可以降低半导体服务器启动温度，SK海力士计划今后扩大与集团成员公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整个半导体事业中创造新的附加价值。 * 液浸冷却（Immersion Cooling）: 将数据服务器直接浸入冷却油中冷却的新一代热管理技术，与现有的空冷式相比，冷却电力大幅减少，整体电力消耗量可减少约30% 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站 www.skhynix.com <>， news.skhynix.com.cn 。 ]]>
  • 以"绿色数字解决方案"为主题，介绍主力/新内存阵容
  • 展示超高性能企业SSD，强化服务器用存储器市场领先企业地位
  • "提出解决客户痛点的方案"

    • 首尔2022年12月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于27日表示，公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会 -- "CES 2023"，展示主力存储器产品和新的产品阵容。


    SK海力士强调："在此次CES上，公司同步SK集团的‘无碳未来'方向，决定将大幅减少碳排放的产品，以‘绿色数字解决方案'为主题进行展示。公司将公开的产品阵容不仅能减少环境影响，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客户和专家的众多关注。"

    最近，随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。

    * 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

    此次公司展示的核心产品是超高性能企业级SSD产品 PS1010 E3.S（以下简称PS1010）。PS1010是由多个SK海力士的176层4D NAND结合而成的模组产品,支持PCIe第五代(Gen 5)*标准。

    * PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）:电子产品主板上串行结构的高速输入/输出接口。其特点是随着每一代的上升，数据传输率提高约一倍。

    SK海力士技术团队解释说："服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长，在这种情况下，公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。" 实际上，PS1010与上一代相比，读写速度分别最高提升了130%和49%。另外，该产品具备改善75%以上的功耗比，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。

    尹载然SK海力士副社长（NAND商品企划负责人）表示："在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。"

    与此同时，展会上SK海力士将展示适用于高性能计算（HPC，High Performance Computing）的新一代存储器产品，现有最高性能的DRAM"HBM3*"、采用存储器上添加运算功能的PIM*技术的"GDDR6-AiM"、灵活扩张存储器容量和性能的"CXL*存储器"等。

    * HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个DRAM，比现有DRAM显著提升数据处理速度的高附加值、高性能的产品

    * PIM（Processing-In-Memory）：在存储器半导体上添加运算功能，可以解决人工智能(AI)和大数据处理领域的数据传输停滞问题的新一代技术

    * CXL（Compute Express Link）：为有效构建高性能计算系统，基于PCIe的新一代互联协议（Interconnect Protocol）

    另外，SK海力士的CES展位还将同时展示SK集团旗下能源效率化子公司SK enmove的液浸冷却(Immersion Cooling)*技术。此技术可以降低半导体服务器启动温度，SK海力士计划今后扩大与集团成员公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整个半导体事业中创造新的附加价值。

    * 液浸冷却（Immersion Cooling）: 将数据服务器直接浸入冷却油中冷却的新一代热管理技术，与现有的空冷式相比，冷却电力大幅减少，整体电力消耗量可减少约30%

    关于SK海力士
    SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

    ]]>         SK海力士开发出业界最快的服务器内存模组MCR DIMM 2022-12-08 09:00:00 )今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。 * DDR(Double Data Rate)是一种DRAM标准，主要应用于服务器和客户端，目前已经发展至第五代。MCR DIMM是一种模块产品，将多个DRAM组合在一块主板上，能够同时运行两个内存列。 *内存列(RANK) ：从DRAM模块向CPU传输数据的基本单位。一个内存列通常可向CPU传送64字节(Byte)的数据。 该MCR DIMM产品采用了全新的方法来以提高DDR5的传输速度。虽然普遍认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，但SK海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个DRAM芯片的速度。 SK海力士技术团队在设计产品时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)*同时运行两个内存列。 *缓冲器(Buffer) ：安装在内存模块上的组件，用于优化DRAM与CPU之间的信号传输性能。主要安装在对性能和可靠性要求较高的服务器模块中 传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。 该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。 SK海力士DRAM产品策划担当副社长柳城洙认为这款产品的成功开发取决于不同技术的结合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模块设计能力与英特尔卓越的Xeon处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体。为确保MCR DIMM的稳定运行，模块内外数据缓冲器和处理器能够顺畅交互至关重要。" 数据缓冲器负责从中间的模块传输多个信号，服务器CPU则负责接受和处理来自缓冲器的信号。 柳副社长还表示："开发出业界速度最快的MCR DIMM充分彰显了SK海力士DDR5技术的又一长足进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固在服务器DRAM市场的领导地位。" 英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas 博士表示，英特尔与SK海力士在内存创新、针对服务器的高性能、可扩展的DDR5领域处于领先地位，在同一梯队的还有其他一些主要的行业合作伙伴。 "此次采用的技术源于英特尔和关键业界合作伙伴多年的共同研究，极大提高了英特尔Xeon处理器可提供的带宽。我们期待该技术能够应用到未来的英特尔Xeon处理器上，支持业界的标准化和多世代开发。" 瑞萨电子副总裁兼Memory Interface部门长Sameer Kuppahalli表示，该数据缓冲器从构思到实现产品化历经三年，"对于能够携手SK海力士和英特尔将该技术转化为优秀的产品，我们深感自豪。" SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM的市场将会逐步打开，公司计划在未来量产该产品。 Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries. ]]>
  • 业界最快的DDR5服务器，实现数据传输速率高达8Gbps
  • 与英特尔、瑞萨电子合作，SK海力士领航MCR DIMM开发
  • 努力寻求技术突破，巩固在服务器DRAM市场的领导地位

    • 韩国首尔2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。该产品的最低数据传输速率也高达8Gbps，较之目前DDR5产品4.8Gbps提高了80%以上。

    * DDR(Double Data Rate)是一种DRAM标准，主要应用于服务器和客户端，目前已经发展至第五代。MCR DIMM是一种模块产品，将多个DRAM组合在一块主板上，能够同时运行两个内存列。

    *内存列(RANK) ：从DRAM模块向CPU传输数据的基本单位。一个内存列通常可向CPU传送64字节(Byte)的数据。

    该MCR DIMM产品采用了全新的方法来以提高DDR5的传输速度。虽然普遍认为DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，但SK海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个DRAM芯片的速度。

    SK海力士技术团队在设计产品时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器(data buffer)*同时运行两个内存列。

    *缓冲器(Buffer) ：安装在内存模块上的组件，用于优化DRAM与CPU之间的信号传输性能。主要安装在对性能和可靠性要求较高的服务器模块中

    传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。每次传输到CPU的数据量的增加使得数据传输速度提高到8Gbps以上，是单个DRAM的两倍。




    该产品的成功开发得益于与英特尔、瑞萨电子的合作。三家公司在从开发到速度和性能验证的各个阶段都进行了紧密的合作。

    SK海力士DRAM产品策划担当副社长柳城洙认为这款产品的成功开发取决于不同技术的结合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模块设计能力与英特尔卓越的Xeon处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体。为确保MCR DIMM的稳定运行，模块内外数据缓冲器和处理器能够顺畅交互至关重要。"

    数据缓冲器负责从中间的模块传输多个信号，服务器CPU则负责接受和处理来自缓冲器的信号。

    柳副社长还表示："开发出业界速度最快的MCR DIMM充分彰显了SK海力士DDR5技术的又一长足进步。我们将继续寻求突破技术壁垒，巩固在服务器DRAM市场的领导地位。"

    英特尔内存和IO技术副总裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特尔与SK海力士在内存创新、针对服务器的高性能、可扩展的DDR5领域处于领先地位，在同一梯队的还有其他一些主要的行业合作伙伴。

    "此次采用的技术源于英特尔和关键业界合作伙伴多年的共同研究，极大提高了英特尔Xeon处理器可提供的带宽。我们期待该技术能够应用到未来的英特尔Xeon处理器上，支持业界的标准化和多世代开发。"

    瑞萨电子副总裁兼Memory Interface部门长Sameer Kuppahalli表示，该数据缓冲器从构思到实现产品化历经三年，"对于能够携手SK海力士和英特尔将该技术转化为优秀的产品，我们深感自豪。"

    SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM的市场将会逐步打开，公司计划在未来量产该产品。

    Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

    ]]>         SK海力士成功研发全球最高层238层４D NAND闪存 2022-08-03 05:30:00 ）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。 图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积，其意义更加非凡 。" * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。 当天，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中，崔正达SK海力士NAND闪存开发担当说道："基于其4D NAND闪存技术，SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。" * 闪存峰会(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域的最高级别研讨会。SK海力士于本次峰会与其NAND闪存解决方案子公司Solidigm联合进行了主题演讲。 SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。 * 电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 浮栅型(FG，Floating Gate)闪存技术将电荷存储在导体1)中，而CTF将电荷存储在绝缘体2) 中，以解决单元间的干扰问题。因此，相比FG技术，CTF可缩小芯片的单元面积，同时提高数据的读写性能。 图2. CTF技术原理 * PUC (Peri Under Cell) 将外围(Peri.)电路放置在存储单元的下方, 以最大化生产效率。 图3. PUC技术原理 238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。 此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。可以说，SK海力士通过节省芯片的电力消耗，在ESG方面也取得了可圈可点的进步。 SK海力士计划先为cSSD（client SSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。公司还将于明年发布1Tb 密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是现有产品的两倍。 图4. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存 ]]> 新闻概要

    • 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存，将于明年上半年投入量产
    • 成功研发层数最高，面积最小的NAND闪存，并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性
    • "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈"

    韩国首尔2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。

    图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存
    图1. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

    近日，SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。公司表示："自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技术的研发。此次238层NAND闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积，其意义更加非凡 。"

    * NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以存储的数据越多。

    当天，SK海力士在美国圣克拉拉举行的2022闪存峰会（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238层NAND闪存新产品。在峰会主题演讲中，崔正达SK海力士NAND闪存开发担当说道："基于其4D NAND闪存技术，SK海力士全球首次成功研发了238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力。公司将持续创新，并不断突破技术瓶颈。"

    * 闪存峰会(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域的最高级别研讨会。SK海力士于本次峰会与其NAND闪存解决方案子公司Solidigm联合进行了主题演讲。

    SK海力士在2018年研发的96层NAND闪存就超越了传统的3D方式，并导入了4D方式。为成功研发4D架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技术。相比3D方式，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

    * 电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash)

    浮栅型(FG，Floating Gate)闪存技术将电荷存储在导体1)中，而CTF将电荷存储在绝缘体2)中，以解决单元间的干扰问题。因此，相比FG技术，CTF可缩小芯片的单元面积，同时提高数据的读写性能。

    图2. CTF技术原理
    图2. CTF技术原理

    * PUC (Peri Under Cell)

    将外围(Peri.)电路放置在存储单元的下方, 以最大化生产效率。

    图3. PUC技术原理
    图3. PUC技术原理

    238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。

    此外，238层NAND闪存的数据传输速度为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了21%。可以说，SK海力士通过节省芯片的电力消耗，在ESG方面也取得了可圈可点的进步。

    SK海力士计划先为cSSD（client SSD，主要应用范围为PC用存储设备）供应238层NAND闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器SSD等。公司还将于明年发布1Tb 密度的全新238层NAND闪存产品，其密度是现有产品的两倍。

    图4. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存
    图4. SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

    ]]>         SK海力士将向英伟达供应业界首款HBM3 DRAM 2022-06-09 07:30:00 ） 宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。 * HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2 （第二代），以及 HBM2E（第三代）。 SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。 随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAM，HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。 英伟达（NVIDIA）在近日完成了对 SK海力士 HBM3 样品的性能评估。SK海力士将向英伟达系统供应 HBM3，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。 SK海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加 HBM3 产量。 备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK海力士的 HBM3 带宽可达 819GB/s ，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清（Full-HD）电影（每部影片约 5GB）。 SK海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（Solution Provider）。” 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和 CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站 www.skhynix.com , news.skhynix.com.cn 。 ]]>
  • 拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月
  • HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）
  • SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位

    • 首尔2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或称“公司”，www.skhynix.com）宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。


    * HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 产品，此前三代分别为 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。

    SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款 HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位。


    随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统 DRAM，HBM 在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。

    英伟达（NVIDIA）在近日完成了对 SK海力士 HBM3 样品的性能评估。SK海力士将向英伟达系统供应 HBM3，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。SK海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加 HBM3 产量。

    备受期待的英伟达 H100 被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK海力士的 HBM3 带宽可达 819GB/s，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输 163 部全高清（Full-HD）电影（每部影片约 5GB）。

    SK海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（Solution Provider）。”

    关于SK海力士

    SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

    ]]>         SK海力士2021年创造的社会价值达 9.4173 万亿韩元 2022-05-30 07:30:00 ）宣布2021年创造的社会价值(SV，Social Value)达9.4173万亿韩元。根据SK集团社会价值计算公式，SK海力士2021年创造的社会价值较2020年的4.8887万亿韩元增长了93%，占SK集团2021年创造的社会价值总额18.4000万亿韩元的一半以上。 其中“间接经济效益 (包括纳税、就业、分红等)”部分为9.7201万亿韩元，“环境效益”部分为-9527亿韩元，“社会效益”的部分则为6499亿韩元。 得益于2021年创下公司成立以来最高记录的销售额，SK海力士该年度间接经济效益创造的社会价值较之2020年增长81%(+4.3465万亿韩元) ；社会效益方面，由于加大力度参与促进半导体生态系统发展及针对弱势群体的活动，所创造的社会价值增长44%(+1985亿韩元)。但受2021年全球半导体需求增长导致生产量增加的影响，温室气体排放总量增加，使得负面影响层面的社会价值增加了2% (-150亿韩元)。 就间接经济效益而言，公司在纳税、就业、分红等各个领域均有增长，其中因利润的增加，纳税额较上一年度增长160%(+2.3633万亿韩元)；就业方面，员工数量和薪资规模增长56% (+1.7245万亿韩元)。此外，通过积极回报股东，分红增加了32%(+2586亿韩元)。 但是，由于产量扩大导致资源消耗和温室气体排放量增加，SK海力士2021年在环境效益所创造的社会价值方面出现负增长。具体而言，资源消耗/环境污染领域的负面成本增加3%( -242亿韩元)，但低功耗产品/服务的业绩增长128%(+91亿韩元)部分抵消了负面影响。 SK海力士负责人表示：“通过积极参与绿色溢价制度*减少对环境影响，降低温室气体排放、扩大废水再利用等举措，我们单个生产单位的温室气体排放量比上一年有所下降。但作为一家企业，我们还是对环境产生了负面影响，对此我们深表歉意。今后，我们将继续为改善环境而努力。” *绿色溢价制度：电力消费者为使用由可再生能源生产的电力，在现有电费基础上追加购买额外溢价的收费制度。 在共同发展方面的社会效益大幅提升。SK海力士一直为合作伙伴提供技术支持与教育培训，为促进半导体生态系统发展而努力。此外，公司通过与合作伙伴共同开发相关技术，为材料、零部件、设备的国产化做出了贡献。因此，去年共同发展成果同比增加了56%(+1806亿韩元)。 社会效益方面，公司在疫情期间主要以非线下方式持续开展活动，因此社会效益较2020年增长9%(+97亿韩元)。另外，通过社会性企业支持活动，在“提高弱势群体生活质量的成果”方面增长45%(+82亿韩元)。 SK海力士可持续经营担当副社长金润郁表示：“SK海力士自2019年始已连续四年公布社会价值成果，与利益相关方进行坦诚、透明的沟通。在创造社会价值方面，今后公司将加强对中长期目标‘社会价值 2030'的执行力度，强化ESG发展，为人类和社会的发展做出贡献。” * 可登录公司全球新闻中心（news.skhynix.com.cn ）查询 SK海力士创造社会价值的具体案例及详细计算公式 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多， 请点击公司网站www.skhynix.com ,  news.skhynix.com.cn 。 ]]> 首尔2022年5月30日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）宣布2021年创造的社会价值(SV，Social Value)达9.4173万亿韩元。根据SK集团社会价值计算公式，SK海力士2021年创造的社会价值较2020年的4.8887万亿韩元增长了93%，占SK集团2021年创造的社会价值总额18.4000万亿韩元的一半以上。


    其中“间接经济效益 (包括纳税、就业、分红等)”部分为9.7201万亿韩元，“环境效益”部分为-9527亿韩元，“社会效益”的部分则为6499亿韩元。

    得益于2021年创下公司成立以来最高记录的销售额，SK海力士该年度间接经济效益创造的社会价值较之2020年增长81%(+4.3465万亿韩元) ；社会效益方面，由于加大力度参与促进半导体生态系统发展及针对弱势群体的活动，所创造的社会价值增长44%(+1985亿韩元)。但受2021年全球半导体需求增长导致生产量增加的影响，温室气体排放总量增加，使得负面影响层面的社会价值增加了2% (-150亿韩元)。

    就间接经济效益而言，公司在纳税、就业、分红等各个领域均有增长，其中因利润的增加，纳税额较上一年度增长160%(+2.3633万亿韩元)；就业方面，员工数量和薪资规模增长56% (+1.7245万亿韩元)。此外，通过积极回报股东，分红增加了32%(+2586亿韩元)。

    但是，由于产量扩大导致资源消耗和温室气体排放量增加，SK海力士2021年在环境效益所创造的社会价值方面出现负增长。具体而言，资源消耗/环境污染领域的负面成本增加3%(-242亿韩元)，但低功耗产品/服务的业绩增长128%(+91亿韩元)部分抵消了负面影响。

    SK海力士负责人表示：“通过积极参与绿色溢价制度*减少对环境影响，降低温室气体排放、扩大废水再利用等举措，我们单个生产单位的温室气体排放量比上一年有所下降。但作为一家企业，我们还是对环境产生了负面影响，对此我们深表歉意。今后，我们将继续为改善环境而努力。”

    *绿色溢价制度：电力消费者为使用由可再生能源生产的电力，在现有电费基础上追加购买额外溢价的收费制度。

    在共同发展方面的社会效益大幅提升。SK海力士一直为合作伙伴提供技术支持与教育培训，为促进半导体生态系统发展而努力。此外，公司通过与合作伙伴共同开发相关技术，为材料、零部件、设备的国产化做出了贡献。因此，去年共同发展成果同比增加了56%(+1806亿韩元)。

    社会效益方面，公司在疫情期间主要以非线下方式持续开展活动，因此社会效益较2020年增长9%(+97亿韩元)。另外，通过社会性企业支持活动，在“提高弱势群体生活质量的成果”方面增长45%(+82亿韩元)。

    SK海力士可持续经营担当副社长金润郁表示：“SK海力士自2019年始已连续四年公布社会价值成果，与利益相关方进行坦诚、透明的沟通。在创造社会价值方面，今后公司将加强对中长期目标‘社会价值 2030'的执行力度，强化ESG发展，为人类和社会的发展做出贡献。”

    * 可登录公司全球新闻中心（news.skhynix.com.cn）查询 SK海力士创造社会价值的具体案例及详细计算公式

    关于SK海力士

    SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)，NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

    ]]>         SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM 2022-02-16 07:30:00 SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM 到目前为止，存储半导体负责保存数据，而非存储半导体（如CPU或GPU）负责处理数据是人们普遍的认知。尽管如此，SK海力士依然在新一代智能存储器领域积极摸索创新，进而首次公开公司在相关领域的研发成果。 SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM SK海力士计划在2月底于美国旧金山举行的半导体领域最负盛名的国际学术大会 -- 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固态电路会议）2) 大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。 SK海力士还开发出了公司首款基于PIM技术的产品 - GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，内存加速器3） ）的样本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。 GDDR6-AiM的工作电压为1.25V，低于GDDR64) 内存的标准工作电压（1.35V）。不仅如此，PIM的应用还减少了与CPU、GPU的数据传输往来，从而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助该产品的低能耗特性，公司得以减少设备的碳排放并改善公司的ESG经营成果。 此外，SK 海力士还计划与最近刚从SK电讯拆分出来的人工智能半导体公司SAPEON Inc.携手合作，推出将GDDR6-AiM和人工智能半导体相结合的技术。SAPEON Inc. CEO 柳秀晶表示：“近年来，随着人工神经网络数据的使用量迅速增加，针对相关计算特性进行优化的演算技术的需求也在日益增加的趋势。我们将结合两家公司的技术，在数据计算、成本和能耗方面最大限度地提高效率。” SK海力士解决方案开发担当副社长安炫表示：“基于具备独立计算功能的PIM技术，SK海力士将通过GDDR6-AiM构建全新的存储器解决方案生态系统。公司将为不断调整业务模式并倡导技术创新的新方向而努力。” 1) PIM（processing-in-memory，内存中处理）：为内存半导体结合计算功能的下一代技术，系针对人工智能和大数据处理过程中数据传输瓶颈问题的解决方案。 2) ISSCC：指国际固态电路会议。该会议将于2022 年2月20日至24日线上举行，主题为“面向可持续世界的智能硅片（Intelligent Silicon for a Sustainable World）” 3) 加速器（Accelerator）：指由针对特定信息处理及演算需求专门设计的芯片组成的特殊功能硬件设备。 4) 图形DDR（GDDR）：由电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的图形DRAM的标准规格。图形DRAM的标准规格依GDDR3-GDDR5-GDDR5X-GDDR6迭代演变，是专门用于更快速地处理图形的内存规范。最近，图形DDR作为人工智能和大数据应用领域最为广泛采纳的内存解决方案而备受关注。 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。 ]]>
  • 应用PIM的“GDDR6-AiM”产品将在权威国际学术大会上亮相
  • 通过在内存中加入计算功能，得以最大限度地提高数据处理速度
  • 低电压运行可提高能效，减少碳排放，从而改善ESG表现
  • 公司计划与SAPEON Inc.合作，推出与人工智能半导体相结合的全新技术

    • 韩国首尔2022年2月16日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术“PIM（processing-in-memory，内存中处理）”1)。

    SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM
    SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM

    到目前为止，存储半导体负责保存数据，而非存储半导体（如CPU或GPU）负责处理数据是人们普遍的认知。尽管如此，SK海力士依然在新一代智能存储器领域积极摸索创新，进而首次公开公司在相关领域的研发成果。

    SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM
    SK海力士开发出基于PIM技术的首款样品GDDR6-AiM

    SK海力士计划在2月底于美国旧金山举行的半导体领域最负盛名的国际学术大会 -- 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，国际固态电路会议）2)大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。

    SK海力士还开发出了公司首款基于PIM技术的产品 - GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，内存加速器3））的样本。GDDR6-AiM是将计算功能添加到数据传输速度为16Gbps的GDDR6内存的产品。与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM 与 CPU、GPU 相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。

    GDDR6-AiM的工作电压为1.25V，低于GDDR64)内存的标准工作电压（1.35V）。不仅如此，PIM的应用还减少了与CPU、GPU的数据传输往来，从而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助该产品的低能耗特性，公司得以减少设备的碳排放并改善公司的ESG经营成果。

    此外，SK 海力士还计划与最近刚从SK电讯拆分出来的人工智能半导体公司SAPEON Inc.携手合作，推出将GDDR6-AiM和人工智能半导体相结合的技术。SAPEON Inc. CEO 柳秀晶表示：“近年来，随着人工神经网络数据的使用量迅速增加，针对相关计算特性进行优化的演算技术的需求也在日益增加的趋势。我们将结合两家公司的技术，在数据计算、成本和能耗方面最大限度地提高效率。”

    SK海力士解决方案开发担当副社长安炫表示：“基于具备独立计算功能的PIM技术，SK海力士将通过GDDR6-AiM构建全新的存储器解决方案生态系统。公司将为不断调整业务模式并倡导技术创新的新方向而努力。”

    1) PIM（processing-in-memory，内存中处理）：为内存半导体结合计算功能的下一代技术，系针对人工智能和大数据处理过程中数据传输瓶颈问题的解决方案。

    2) ISSCC：指国际固态电路会议。该会议将于2022 年2月20日至24日线上举行，主题为“面向可持续世界的智能硅片（Intelligent Silicon for a Sustainable World）”

    3) 加速器（Accelerator）：指由针对特定信息处理及演算需求专门设计的芯片组成的特殊功能硬件设备。

    4) 图形DDR（GDDR）：由电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的图形DRAM的标准规格。图形DRAM的标准规格依GDDR3-GDDR5-GDDR5X-GDDR6迭代演变，是专门用于更快速地处理图形的内存规范。最近，图形DDR作为人工智能和大数据应用领域最为广泛采纳的内存解决方案而备受关注。

    关于SK海力士
    SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。

    ]]>         SK海力士为车用存储半导体获取功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM认证 2021-11-12 08:00:00 SK海力士的代表在11月11日的虚拟活动中与TUV Nord的官员一起纪念ISO26262FSM认证 ISO 26262认证是国际标准化组织（ISO）于2011年制定的关于汽车功能安全系统的国际标准，旨在预防因汽车电气和电子系统故障引发的事故。此次授予SK海力士的这项认证是依据ISO 26262:2018最新版本的标准，其中新增了对汽车半导体的附加要求。在汽车行业，安全、质量和可靠性至关重要。因此，汽车零部件生产商必须满足ISO 26262标准。 SK海力士说明，获取这项认证为SK海力士引领车用存储半导体市场的发展奠定了坚实的基础，并强化了公司的产品竞争力。公司达到了业内汽车安全完整性等级（ASIL）最高评级，即ASIL-D认证，这是四个认证等级（A~D）中最高的等级，进一步证实了SK海力士的产品安全水平达到了业内最高水准。 本次通过FSM认证的SK海力士产品是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量、高性能、低功耗的内存组件，对于高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车技术至关重要。SK海力士将继续巩固自身在汽车半导体市场的地位，为车用半导体产品群陆续追加通用闪存存储（UFS）和HBM2E、HBM3等高带宽内存等。 SK海力士汽车业务担当副社长沈大用表示：“这项认证证明了SK海力士的汽车半导体产品拥有世界领先的功能安全技术，得益于此，我们计划扩大与汽车行业客户的战略合作伙伴关系。”SK海力士品质系统担当副社长宋埈豪补充道：“为确保不断发展的汽车内存市场主导权，SK海力士将继续提升我们产品的安全性、质量和可靠性。” 根据市调机构Strategy Analytics的数据，到2028年，整个ADAS内存市场规模预计将增长近三倍，年均增长率（CAGR）将达到24.5%（以销售额为准）。 ]]> 韩国首尔2021年11月12日 /美通社/ -- SK海力士于11月12日表示，针对车用存储半导体公司成功获取了功能安全国际标准ISO 26262:2018 FSM（功能安全管理，Functional Safety Management）标准认证。负责此次认证的机构是德国的全球权威汽车功能安全认证机构TUV Nord，随后双方举行了线上认证授予仪式。出席授予仪式的有沈大用SK海力士汽车业务担当副社长、宋埈豪SK海力士品质系统担当副社长、TUV Nord认证机构长Bianca Pfuff和首席审查官Josef Neumann。

    SK海力士的代表在11月11日的虚拟活动中与TUV Nord的官员一起纪念ISO26262FSM认证
    SK海力士的代表在11月11日的虚拟活动中与TUV Nord的官员一起纪念ISO26262FSM认证

    ISO 26262认证是国际标准化组织（ISO）于2011年制定的关于汽车功能安全系统的国际标准，旨在预防因汽车电气和电子系统故障引发的事故。此次授予SK海力士的这项认证是依据ISO 26262:2018最新版本的标准，其中新增了对汽车半导体的附加要求。在汽车行业，安全、质量和可靠性至关重要。因此，汽车零部件生产商必须满足ISO 26262标准。

    SK海力士说明，获取这项认证为SK海力士引领车用存储半导体市场的发展奠定了坚实的基础，并强化了公司的产品竞争力。公司达到了业内汽车安全完整性等级（ASIL）最高评级，即ASIL-D认证，这是四个认证等级（A~D）中最高的等级，进一步证实了SK海力士的产品安全水平达到了业内最高水准。

    本次通过FSM认证的SK海力士产品是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量、高性能、低功耗的内存组件，对于高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶汽车技术至关重要。SK海力士将继续巩固自身在汽车半导体市场的地位，为车用半导体产品群陆续追加通用闪存存储（UFS）和HBM2E、HBM3等高带宽内存等。

    SK海力士汽车业务担当副社长沈大用表示：“这项认证证明了SK海力士的汽车半导体产品拥有世界领先的功能安全技术，得益于此，我们计划扩大与汽车行业客户的战略合作伙伴关系。”SK海力士品质系统担当副社长宋埈豪补充道：“为确保不断发展的汽车内存市场主导权，SK海力士将继续提升我们产品的安全性、质量和可靠性。”

    根据市调机构Strategy Analytics的数据，到2028年，整个ADAS内存市场规模预计将增长近三倍，年均增长率（CAGR）将达到24.5%（以销售额为准）。

    ]]>         SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM 2021-10-20 08:00:00 ) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。  HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。 *HBM版本名称：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代) SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。 *HBM2E ：从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本 SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。” SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。 与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。 此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。 为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6 m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。 *TSV(Through Silicon Via，硅通孔技术)：在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术 HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。 负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出了全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。 公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。” 关于SK海力士 SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.com , news.skhynix.com.cn 。 ]]> 韩国首尔2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。 


    HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技术*，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高价值产品，创新性地提高了数据处理速度。

    *HBM版本名称：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代)


    SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E* DRAM后，时隔仅1年零3个月开发了HBM3，巩固了该市场的主导权。

    *HBM2E ：从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本

    SK海力士强调，“通过此次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，还大幅提高了质量水平。”

    SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。与上一代HBM2E相比，速度提高了约78%。

    与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的错误，因此产品的可靠性也大幅提高。

    此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV技术垂直连接12个芯片。

    *TSV(Through Silicon Via，硅通孔技术)：在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的技术

    HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。

    负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出了全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。”

    关于SK海力士
    SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

    ]]>         SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM 2021-07-12 08:00:00 ）宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。 * LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。   图1. SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM 自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。 此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM，其意义非凡。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术，事先完成了对其稳定性的验证。 * EUV (Extreme Ultraviolet)：指利用极紫外线的光刻设备 工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。 SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。 此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。 在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。 SK海力士1a纳米级DRAM领导小组（Task Force）的曹永万副社长表示：“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。” ]]> 韩国首尔2021年7月12日 /美通社/ -- SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com）宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） *LPDDR4 移动端DRAM产品。

    * LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会(Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC)规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。

     

    图1. SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM
    图1. SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM

    自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

    此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM，其意义非凡。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术，事先完成了对其稳定性的验证。

    * EUV (Extreme Ultraviolet)：指利用极紫外线的光刻设备

    工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。

    SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。

    此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。

    在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

    SK海力士1a纳米级DRAM领导小组（Task Force）的曹永万副社长表示：“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。”

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